情報工学部情報通信工学科 末岡浩治教授と株式会社SUMCOによる高濃度Pドープ半導体Si結晶に関する研究論文2件がJournal of Applied Physics に掲載され、Editor’s Pick(エディター選定の注目論文)に選ばれました。

著者：Masataka Hourai, Yasuhito Narushima, Kazuhisa Torigoe, Naoya Nonaka, Koutaro Koga, Toshiaki Ono, Hiroshi Horie, and Koji Sueoka
タイトル：Defect behavior during growth of heavily phosphorus doped Czochralski silicon crystals (I): Experimental study
掲載誌：J. Appl. Phys. 136, 055706 (2024)
リンク：https://doi.org/10.1063/5.0216898
DOI： 10.1063/5.0216898

著者：Koji Sueoka, Yasuhito Narushima, Kazuhisa Torigoe, Naoya Nonaka, Koutaro Koga, Toshiaki Ono, Hiroshi Horie, and Masataka Hourai
タイトル：Defect behavior during growth of heavily phosphorus doped Czochralski silicon crystals (II): Theoretical study
掲載誌：J. Appl. Phys. 136, 055705 (2024)
リンク：https://doi.org/10.1063/5.0200130
DOI： 10.1063/5.0200130