シラバス参照 |
科目名/Course: 半導体工学Ⅰ/Semiconductor Engineering I | |
科目一覧へ戻る | 2024/09/10 現在 |
科目名(和文) /Course |
半導体工学Ⅰ |
---|---|
科目名(英文) /Course |
Semiconductor Engineering I |
時間割コード /Registration Code |
21145901 |
学部(研究科) /Faculty |
情報工学部 |
学科(専攻) /Department |
情報通信工学科 |
担当教員(○:代表教員)
/Principle Instructor (○) and Instructors |
○末岡 浩治 |
オフィスアワー /Office Hour |
末岡 浩治(2303室に在室時は随時対応します.また,メールでアポイントメントを取ってくれれば,時間指定して対応します.) |
開講年度 /Year of the Course |
2024年度 |
開講期間 /Term |
後期 |
対象学生 /Eligible Students |
2年生,3年生 |
単位数 /Credits |
2.0 |
更新日 /Date of renewal |
2024/03/02 |
---|---|
使用言語 /Language of Instruction |
日本語 |
オムニバス /Omnibus |
該当なし |
授業概略と目的 /Cource Description and Objectives |
「授業概略」 半導体デバイスの特性を十分に理解して使いこなすためには,半導体中における電子の振る舞いの本質を理解する必要がある.本講義では,固体が原子核や電子の集合体であることをふまえ,半導体の電気伝導を決めるバンド構造を概説する.さらに,p型とn型の区別を論じ,キャリヤの種類,密度,移動度が導電性を決定することを述べる.最後に,p-n接合の理論について説明することで,半導体工学IIへの橋渡しをする. 「目的」 1.固体における電子の性質について,式を導出したうえで説明できる. 2.半導体の電気伝導とp-n接合を説明できる. 3.p-n接合を用いた半導体素子について,動作原理を説明できる. |
履修に必要な知識?能力?キーワード /Prerequisites and Keywords |
電子デバイス,自由電子と正孔,エネルギーバンド構造,pn接合,拡散とドリフト |
履修上の注意 /Notes |
「物理学A」,「物理学B」等を履修していることが望ましい. |
教科書 /Textbook(s) |
「半導体デバイス入門 ‐その原理と動作のしくみ‐」(柴田直著)数理工学社 |
参考文献等 /References |
「基礎電子工学」(藤本晶著)森北出版 CMD体育_cmd体育平台@附属図書館に電子ブックが所蔵されています. https://opac.lib.oka-pu.ac.jp/opac/search?isbn=9784627331518 固体電子論入門 半導体物理の基礎」(志村史夫著)丸善 CMD体育_cmd体育平台@附属図書館に電子ブックが所蔵されています. https://opac.lib.oka-pu.ac.jp/opac/search?isbn=9784621081136 「電子物性」(松澤剛雄,高橋清,斉藤幸喜共著)森北出版 CMD体育_cmd体育平台@附属図書館に書籍が所蔵されています. https://opac.lib.oka-pu.ac.jp/opac/search?isbn=4627772009 |
自主学習ガイド /Expected Study Guide outside Coursework/Self-Directed Learning Other Than Coursework |
講義終了時に次回の内容を指示するので,教科書の該当箇所を熟読しておくこと.教科書,ノート,講義内容を整理した配布プリントを併用した復習を行うことで,わからない箇所を次回の講義に持ち越さないようにすること. |
資格等に関する事項 /Attention Relating to Professional License |
|
アクティブラーニングに関する事項 /Attention Relating to Active Learning |
本授業では,以下のアクティブラーニングを採用している. 課題(宿題等) |
実務経験に関する事項 /Attention Relating to Operational Experiences |
半導体メーカにおける実務経験のある教員が,その実務経験を生かして,半導体工学の知識を製品開発に応用する視点を含めた教育を行う. |
備考 /Notes |
No. | 単元(授業回数) /Unit (Lesson Number) |
単元タイトルと概要 /Unit Title and Unit Description |
時間外学習 /Preparation and Review |
配付資料 /Handouts |
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1 | 1 | [電子デバイスの概念] 電子デバイスの概念を学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
2 | 2 | [結晶中の電子の振る舞い(1)] 電子の波動性について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
3 | 3 | [結晶中の電子の振る舞い(2)] エネルギーバンド構造の形成について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
4 | 4 | [結晶中の電子の振る舞い(3)] ダイヤモンド構造と共有結合について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
5 | 5 | [半導体中の電子とホール(1)] 真性半導体について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
6 | 6 | [半導体中の電子とホール(2)] p型,n型半導体について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
7 | 7 | [半導体中の電子とホール(3)] キャリア濃度の算出について学ぶ. |
前半の内容をまとめた課題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
8 | 8 | [前半のまとめ] 前半のまとめを行う. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
9 | 9 | [半導体中の電気伝導(1)] キャリアの移動度について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
10 | 10 | [半導体中の電気伝導(2)] 拡散とドリフト電流について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
11 | 11 | [半導体中の電気伝導(3)] キャリアの生成,再結合について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
12 | 12 | [p-n接合(1)] 接合界面近傍のエネルギーバンド構造について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
13 | 13 | [p-n接合(2)] 空乏層中におけるキャリア濃度について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
14 | 14 | [p-n接合(3)] 理想ダイオードの電流電圧特性について学ぶ. |
次回の講義内容に関する演習問題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
15 | 15 | [p-n接合(4)] 実際のダイオードの電流電圧特性について学ぶ. |
定期試験の準備に必要な課題を宿題として課す. | 授業内容をまとめたプリントを配布する. |
16 | 16 | [定期試験] 半導体工学Iで学んだ内容について,理解度を評価する. |
No. |
到達目標 /Learning Goal |
知識?理解 /Knowledge & Undestanding |
技能?表現 /Skills & Expressions |
思考?判断 /Thoughts & Decisions |
伝達?コミュニケーション /Communication |
協働 /Cooperative Attitude |
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1 | 固体における電子の性質について,式を導出したうえで説明できる(E). | ○ | ○ | |||||
2 | 半導体の電気伝導とp-n接合を説明できる(E). | ○ | ○ | |||||
3 |
p-n接合を用いた半導体素子について,動作原理を説明できる(E). |
○ | ○ |
No. |
到達目標 /Learning Goal |
定期試験 /Exam. |
前半のまとめ試験 | 小試験 | |||
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1 | 固体における電子の性質について,式を導出したうえで説明できる(E). | ○ | ○ | ||||
2 | 半導体の電気伝導とp-n接合を説明できる(E). | ○ | ○ | ○ | |||
3 |
p-n接合を用いた半導体素子について,動作原理を説明できる(E). |
○ | ○ | ||||
評価割合(%) /Allocation of Marks |
70 | 20 | 10 |