  シラバス参照
|
| 科目一覧へ戻る | 2021/09/22 現在 |
| 科目名（和文） ／Course |
半導体物性工学 |
|---|---|
| 科目名（英文） ／Course |
|
| 時間割コード ／Registration Code |
81A14401 |
| 学部（研究科） ／Faculty |
情報系工学研究科 博士後期課程 |
| 学科（専攻） ／Department |
システム工学専攻 |
| 担当教員（○：代表教員）
／Principle Instructor （○） and Instructors |
○末岡 浩治 |
| オフィスアワー ／Office Hour |
末岡 浩治(火曜日5時限 2303室) |
| 開講年度 ／Year of the Course |
2021年度 |
| 開講期間 ／Term |
後期 |
| 対象学生 ／Eligible Students |
1年,2年,3年 |
| 単位数 ／Credits |
2 |
| 更新日 ／Date of renewal |
2021/02/16 |
|---|---|
| 使用言語 ／Language of Instruction |
日本語 |
| オムニバス ／Omnibus |
該当なし |
| 授業概略と目的 ／Cource Description and Objectives |
「授業概略」 半導体デバイスを支える半導体材料について、産業界における開発の歴史や最先端トピックスを中心に述べる。とくに、半導体デバイスのさらなる高性能化と低消費電力化を実現する新しい原理や新しい材料について説明し、今後の技術課題を明確にする。シリコンやIV族混晶系太陽電池の開発に関する歴史と課題についても述べる。 「目的」 1.半導体材料の開発の歴史について、十分な知識を持つ。 2.半導体材料の技術動向および技術課題について理解する。 3.シリコンやIV族混晶系を中心とした太陽電池の技術動向および技術課題について理解する。 |
| 履修に必要な知識?能力?キーワード ／Prerequisites and Keywords |
半導体、電子デバイス |
| 履修上の注意 ／Notes |
特になし。 |
| 教科書 ／Textbook(s) |
使用しない。 |
| 参考文献等 ／References |
プリントを配布する。 |
| 自主学習ガイド ／Expected Study Guide outside Coursework/Self-Directed Learning Other Than Coursework |
授業時に関連する学術論文や専門書を示す。 |
| 資格等に関する事項 ／Attention Relating to Professional License |
特になし。 |
| 備考 ／Notes |
| No. | 単元（授業回数） ／Unit (Lesson Number) |
単元タイトルと概要 ／Unit Title and Unit Description |
時間外学習 ／Preparation and Review |
配付資料 ／Handouts |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 1 | [半導体シリコン結晶の開発の歴史1] シリコン結晶育成技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 2 | 2 | [半導体シリコン結晶の開発の歴史2] 無欠陥シリコン結晶の製造技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 3 | 3 | [半導体シリコン結晶の開発の歴史3] シリコンウェーハの製造技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 4 | 4 | [半導体シリコン結晶の開発の歴史4] エピタキシャルウェーハなど代表的なシリコンウェーハの製造技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 5 | 5 | [半導体シリコン結晶の開発の歴史5] 他の半導体と比較したシリコン結晶の優位性について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 6 | 6 | [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術1] 不純物ゲッタリング技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 7 | 7 | [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術2] 点欠陥制御技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 8 | 8 | [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術3] シリコンウェーハの強度保持技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 9 | 9 | [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術4] 酸素析出制御技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 10 | 10 | [酸素析出制御技術について述べる。] LSIに用いられる新材料技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 11 | 11 | [シリコン系太陽電池] 多結晶シリコンを中心としたシリコン系太陽電池の現状と課題について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 12 | 12 | [IV族混晶系太陽電池1] 原子配置制御技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 13 | 13 | [IV族混晶系太陽電池2] バンドギャップ制御技術について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 14 | 14 | [産業界における今後の課題1] シリコンウェーハの表面完全性などの課題について述べる。 |
次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。 | |
| 15 | 15 | [産業界における今後の課題2] シリコン結晶の欠陥制御技術における課題について述べる。 |
レポート課題を出す。 |
| No. |
到達目標 ／Learning Goal |
知識?理解 ／Knowledge & Undestanding |
技能?表現 ／Skills & Expressions |
思考?判断 ／Thoughts & Decisions |
伝達?コミュニケーション ／Communication |
協働 ／Cooperative Attitude |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半導体材料の開発の歴史について、説明できる。 | ○ | ||||||
| 2 | 半導体材料の技術動向について説明できる。 | ○ | ||||||
| 3 | 半導体材料に関する研究テーマを立案できる。 | ○ | ○ |
| No. |
到達目標 ／Learning Goal |
定期試験 ／Exam. |
レポート | 小試験 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半導体材料の開発の歴史について、説明できる。 | ○ | ○ | ||||
| 2 | 半導体材料の技術動向について説明できる。 | ○ | ○ | ||||
| 3 | 半導体材料に関する研究テーマを立案できる。 | ○ | ○ | ||||
|
評価割合（％） ／Allocation of Marks |
60 | 40 | |||||